ГлавнаяПресс-центрСМИ о компании2009 (март)«Атом-пресса»: С оптимизмом в субмикрон

СМИ о компании

18 марта

«Атом-пресса»: С оптимизмом в субмикрон

Девятый научно-практический семинар «Проблемы создания больших и сверхбольших интегральных схем на основе гетероструктур» прошел в конце февраля на базе ФГУП «ФНПЦ НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (НИИИС).
  
Основные цели семинара – анализ современного состояния разработок отечественной специальной электронной компонентной базы (ЭКБ) различного функционального назначения, постановка новых и выбор наиболее приоритетных задач, оценка выполнения решений предыдущего семинара. Участники обменялись информацией о результатах выполняемых работ и мероприятиях по координации деятельности в таких областях, как проектирование, технология изготовления и испытания ЭКБ.
  
В работе семинара приняли участие 95 человек из числа руководителей и ведущих специалистов Росатома, Роскосмоса, Российской академии наук, предприятий электронной промышленности России и Республики Беларусь, учебных заведений (всего из 28 предприятий). В 35 пленарных и 14 стендовых докладах рассматривались актуальные вопросы отечественной микроэлектроники. Участники семинара отметили, что за истекший год наметилось значительное увеличение разработок специальной отечественной ЭКБ по КНД технологии с субмикронными проектными нормами.
  
В докладах от НИИСИ РАН и НИИИС представлены результаты работы комплекса СБИС по КМОП-КНД технологии для бортового спецвычислителя и аппаратуры спутниковой навигации. Промышленное освоение новых технологий обеспечит независимость и конкурентоспособность отечественных СБИС и УСБИС.
  
В серии докладов от ЭНПО «СПЭЛС», НИИИС, НИИСИ РАН, ЦНИИ «Комета», и др. рассмотрен широкий круг вопросов, относящихся к испытаниям БИС и СБИС.
  
Представитель предприятия «Белмикросистемы» доложил об опыте изготовления микросхем, разрабатываемых по заказу в режиме «Foundry» на зарубежных линиях со свойствами, соответствующими российским стандартам. С особым вниманием участники семинара отнеслись к докладу представителя НИИИС о разработке моделей базовых элементов, реализуемых в рамках КМОП КНД технологии, на основе принципов виртуального производства, что приводит к сокращению сроков проектирования и освоения изделий новой техники.
  
Также получила развитие разработка дискретных приборов и монолитных интегральных схем СВЧ и КВЧ диапазонов длин волн. В докладах, представленных от ФГУП ФИ РАН им. П.Н. Лебедева, НИИИС отмечено, что в этой области специальной микроэлектроники за последнее время достигнуты определенные успехи в разработке малошумящих высокочастотных транзисторов на основе гетероэпитаксиальных структур двойных и тройных полупроводниковых соединений.
  
В ходе работы семинара отчетливо проявилось взаимопонимание специалистов всех организаций по решению проблемных вопросов разработки и производства специальной элементной базы в России. Отмечалось, что НИИИС в значительной степени играет роль координатора и постановщика задач в области проектирования и производства ЭКБ. В настоящее время в НИИИС создается межведомственный центр, представляющий собой производственный и научно-экспериментальный комплекс, в котором реализованы не только проектирование с использованием современных аппаратных и программных средств микросхем разных типов, их серийное изготовление, но и создана база для проведения поисковых научных исследований в области микроэлектроники. Многие из проводимых в МВЦ работ выполняются в тесной кооперации с другими организациями и предприятиями, работающими в данной области.
  
На итоговом заседании были определены стратегические направления развития отраслевой микроэлектроники, намечены новые направления разработки перспективной ЭКБ, принято решение активизировать работу по сквозному моделированию как микросхем, так и их испытаний. По мнению ученых и производственников, это должно привести к повышению качества и сокращению сроков разработки микросхем.


Л. Синегубко,
заместитель директора ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» по микроэлектронике, начальник МВЦ по разработке и производству радиационностойкой электронно-компонентной базы

назад к списку